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IXTQ 150N06P
275
Fig. 7. Input Adm ittance
70
Fig. 8. Transconductance
250
225
T J = -40 o C
25 o C
60
200
175
150
125
150 o C
50
40
30
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
100
75
50
25
0
20
10
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
300
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 30V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 75A
I G = 10mA
50
T J = 150 o C
2
0
T J = 25 o C
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
20
40 60 80
Q G - nanoCoulombs
100
120
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
C iss
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1000
f = 1MHz
C oss
C rss
100
T J = 175 o C
DC
1ms
10ms
T C = 25 o C
100
10
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
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